จงบอกประเภทของแรม (RAM) และ รอม (ROM)

1. จงบอกประเภทของแรม (RAM)


แรมโดยทั่วไปแบ่งเป็น 2 ประเภทคือ

1. Static Random Access Memory ( SRAM )

            

        คือ RAM ซึ่งเก็บรักษาข้อมูลบิตไว้ในหน่วยความจำของมันตราบเท่าที่ยังมีกระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงอยู่ ไม่เหมือนกับดีแรม (DRAM) ที่เก็บข้อมูลไว้ในเซลซึ่งประกอบขึ้นด้วยตัวเก็บประจุหรือคาปาซิเตอร์(Capacitor) และทรานซิสเตอร์ (Transistor) 

2. Dynamic Random Access Memory ( DRAM )

            คือ RAM หรือ หน่วยความจำชนิดปกติสำหรับเครื่องคอมพิวเตอร์พีซีและเครื่องเวิร์คสเตชั่น(Workstation) ลักษณะของ DRAM จะเป็นคล้ายกับเครือข่ายของประจุไฟฟ้าที่เครื่องคอมพิวเตอร์ใช้เก็บข้อมูลในรูปของ "0" และ "1" ที่สามารถเข้าถึงได้ง่ายๆ         ประเภทของ DRAM ในท้องตลาดแบ่งได้เป็น 4 ประเภทหลัก ๆ

2.1)  FPM DRAM

         เป็น RAM ชนิดที่ใช้กับ PC ในยุคเริ่มต้น โดยมีรูปแบบคือ SIMM (Single Inline Memory Modules)ปกติจะมีแบบ SIMM ละ 2, 4, 8, 16 และ 32 MB โดยมีค่า refresh rate ของวงจรอยู่ที่ 60 และ 70 nana sec.โดยค่า refresh ที่น้อยกว่าจะความเร็วมากกว่า

2.2)  EDO DRAM

        เป็นชนิดที่ปรับปรุงมาจาก FPM โดยมีการปรับปรุงเรื่องการอ่านข้อมูล โดยทั่วไปแล้วการอ่านข้อมูลจาก RAM จะต้องระบุตำแหน่งแนวตั้ง และแนวนอนให้แก่วงจร RAM ถ้าเป็นชนิด FPM แล้วต้องระบุแนวใดแนวหนึ่งให้เสร็จเสียก่อน แล้วจึงระบุอีกแนวหนึ่ง แต่ EDO สามารถระบุค่าตำแหน่งในแนวตั้ง (CAS) และแนวนอน(RAS) ได้ในเวลาที่ใกล้เคียงกัน หรือพร้อมกันได้

2.3)  SDRAM

       เป็น RAM ชนิดที่ได้รับความนิยมมากที่สุดในปัจจุบัน โดย 1 DIMMs จะมี 168 ขา และส่งข้อมูลได้ทีละ 64 บิต ทำให้ SDRAM แผงเดียวก็สามารถทำงานได้ เวลาในการเข้าถึงข้อมูลของ SDRAM จะมีค่าประมาณ 6-12 n Sec. ปัจจุบัน SDRAM สามารถทำงานได้ที่ความถี่ 66, 100 และ 133 MHz

                     

                       

 2.4)  RAMBUS

       พัฒนามาจาก DRAM แต่มีการออกแบบสถาปัตยกรรมภายในใหม่ทั้งหมด มีการเปลี่ยนแปลงระบบการเข้าถึงข้อมูลภายใน RAM ให้มีประสิทธิภาพมากขึ้น โดยใช้หลักการ “Pre-fetch” หรืออ่านข้อมูลล่วงหน้าโดยระหว่างนั้น CPU สามารถทำงานอื่นไปพร้อม ๆ กันด้วย packet ของ RAMBUS จะเรียกว่า RIMMs (Rambus Inline Memory Modules) ซึ่งมี 184 ขา

                        

                                    

          RAMBUS ทำงานกับไฟกระแสตรง 2.5 V ภายใน 1 RIMMs (Rambus Inline Memory Modules)จะมีวงจรสำหรับควบคุมการหยุดจ่ายไฟแก่แผงวงจรหน่วยความจำย่อยของ RAMBUS ซึ่งยังไม่ถูกใช้งานขณะนั้น เพื่อช่วยให้ความร้อนของ RAMBUS ลดลง และวงจรดังกล่าวจะทำหน้าที่ลดความเร็วของ RAMBUS ลงหากพบว่าความร้อนของ RAMBUS ขณะนั้นสูงเกินไป

           

        แผงวงจรหน่วยความจำย่อยของ RAMBUS 1 แผงจะรับ-ส่งข้อมูลทีละ 16 บิต โดยใช้ความถี่ 800MHz ซึ่งเกิดจากความถี่ 400 MHz แต่ทำงานแบบ DDR (Double Data Rate) ทำให้ได้ bandwidth ถึง 1.6GB/Sec. และจะมี bandwidth สูงถึง 6.4 GB/Sec. ถ้าใช้แผงวงจรย่อย 4 แผง

2.  จงบอกประเภทของรอม(ROM)

ROM (Read-OnlyMemory)

                คือหน่วยความจำชนิดหนึ่ง ที่มีโปรแกรม หรือข้อมูลอยู่แล้ว และพร้อมที่จะนำมาต่อกับ ไมโครโปรเซสเซอร์ได้โดยตรง ซึ่งโปรแกรม หรือข้อมูลนั้นจะไม่สูญหายไป แม้ว่าจะไม่มีการจ่ายไฟเลี้ยงให้แก่ระบบ ข้อมูลที่เก็บอยู่ใน ROM จะสามารถอ่านออกมาได้ แต่ไม่สามารถเขียนข้อมูลเข้าไปได้ เว้นแต่จะใช้วิธีการพิเศษซึ่งขึ้นกับชนิดของ ROM

        ชนิดของROM

          

•  Manual ROM

ROM (READ-ONLY MEMORY)

                 

           ข้อมูลทั้งหมดที่อยู่ใน ROM จะถูกโปรแกรม โดยผู้ผลิต (โปรแกรม มาจากโรงงาน) เราจะใช้ ROM ชนิดนี้ เมื่อข้อมูลนั้น ไม่มีการเปลี่ยนแปลง และมีความต้องการใช้งาน เป็นจำนวนมาก ผู้ใช้ไม่สามารถ เปลี่ยนแปลงข้อมูลภายใน ROM ได้ โดย ROM จะมีการใช้ technology ที่แตกต่างกันตัวอย่างเช่น BIPOLAR, CMOS, NMOS, PMOS

        

 • PROM (Programmable ROM)

  PROM (PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY)

               ข้อมูลที่ต้องการโปรแกรมจะถูกโปรแกรมโดยผู้ใช้เอง โดยป้อนพัลส์แรงดันสูง (HIGH VOLTAGE PULSED) ทำให้ METAL STRIPS หรือ POLYCRYSTALINE SILICON ที่อยู่ในตัว IC ขาดออกจากกัน ทำให้เกิดเป็นลอจิก “1” หรือ “0” ตามตำแหน่ง ที่กำหนดในหน่วยความจำนั้นๆ เมื่อ PROM ถูกโปรแกรมแล้ว ข้อมูลภายใน จะไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้อีก หน่วยความจำชนิดนี้ จะใช้ในงานที่ใช้ความเร็วสูง ซึ่งความเร็วสูงกว่า หน่วยความจำ ที่โปรแกรมได้ชนิดอื่นๆ

         

• EPROM (Erasable Programmable ROM)

  EPROM (ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY)

         ข้อมูลจะถูกโปรแกรม โดยผู้ใช้โดยการให้สัญญาณ ที่มีแรงดันสูง (HIGH VOLTAGE SIGNAL) ผ่านเข้าไปในตัว EPROM ซึ่งเป็นวิธีเดียวกับที่ใช้ใน PROM แต่ข้อมูลที่อยู่ใน EPROM เปลี่ยนแปลงได้ โดยการลบข้อมูลเดิมที่อยู่ในEPROM ออกก่อน แล้วค่อยเข้าโปรแกรมไปใหม่ การลบข้อมูลนี้ทำได้ด้วย การฉายแสง อุลตร้าไวโอเลตเข้าไปในตัว  IC โดยผ่าน  ทางกระจกใส  ที่อยู่บนตัว IC เมื่อฉายแสง ครู่หนึ่ง (ประมาณ 510 นาที) ข้อมูลที่อยู่ภายใน ก็จะถูกลบทิ้ง ซึ่งช่วงเวลา ที่ฉายแสงนี้ สามารถดูได้จากข้อมูล ที่กำหนด   (DATA SHEET) มากับตัว EPROM และ มีความเหมาะสม ที่จะใช้ เมื่องานของระบบ มีโอกาส ที่จะปรับปรุงแก้ไขข้อมูลใหม่

         

• EAROM (Electrically Alterable ROM)

   EAROM (ELECTRICALLY ALTERABLE READ-ONLY MEMORY)

  EAROM หรืออีกชื่อหนึ่งว่า  EEPROM   (ELECTRICAL ERASABLE EPROM)  เนื่องจากมีการใช้ไฟฟ้าในการลบข้อมูลใน ROM เพื่อเขียนใหม่ ซึ่งใช้เวลาสั้นกว่าของ EPROM

         การลบขึ้นอยู่กับพื้นฐานการใช้เทคโนโลยีที่แตกต่างกัน ดังนั้น  EAROM (ELECTRICAL ALTERABLE ROM) จะอยู่บนพื้นฐานของเทคโนโลยีแบบ NMOS ข้อมูลจะถูกโปรแกรมโดยผู้ใช้เหมือนใน  EPROM  แต่สิ่งที่แตกต่างก็คือ ข้อมูลของ EAROM สามารถลบได้โดยทางไฟฟ้าไม่ใช่โดยการฉายแสงแบบ EPROM

        

          โดยทั่วไปจะใช้ EPROM เพราะเราสามารถหามาใช้  และทดลองได้ง่าย มีราคาถูก วงจรต่อง่าย  ไม่ยุ่งยาก   และสามารถเปลี่ยนแปลงโปรแกรมได้ นอกจากระบบ ที่ทำเป็นการค้าจำนวนมาก จึงจะใช้ ROM ประเภทโปรแกรมสำเร็จ แสดงให้เห็นส่วนประกอบพื้นฐานของ ROM ซึ่งจะมีสัญญาณต่างๆ ที่เกี่ยวข้องกับ ROM และทุกชิปที่อยู่ใน ROM  มักมีการจัดแบ่งแยกหน้าที่เสมอ  เช่น ขาแอดเดรสของ ROM เป็นอินพุต ส่วนขาข้อมูลจะเป็นเอาต์พุต โดยหลักการแล้ว  ขาข้อมูลจะต่อเข้ากับบัสข้อมูลซึ่งเป็นบัส  2 ทาง  ดังนั้นเอาต์พุตของ  ROM ในส่วนขาข้อมูลนี้มักจะเป็นลอจิก 3 สถานะ ซึ่งถ้าไม่ใช้ก็จะอยู่ในสถานะ ที่มีอิมพีแดนซ์สูง (High Impedence)